中科院科研裝備研制項目“晶片級器件輻照及輻射效應參數(shù)提取設備”通過驗收

　　5月26日，中國科學院條件保障與財務局組織專家對中國科學院新疆理化技術(shù)研究所承擔的中科院科研裝備研制項目“晶片級器件輻照及輻射效應參數(shù)提取設備”進行了驗收。

　　驗收專家組現(xiàn)場考核了儀器設備的技術(shù)指標，認真聽取了項目工作報告，經(jīng)質(zhì)詢和討論，專家組一致認為該設備同時實現(xiàn)了晶片級器件輻照試驗、器件特性參數(shù)在線提取功能，在國內(nèi)率先突破了晶片級器件加電偏置輻照技術(shù)，為器件輻射效應精確建模、商用代工線的抗輻射性能評估提供了有效的測試手段；研制的設備可適用不同種類器件的輻照，具有結(jié)構(gòu)一體化、操作自動化的特點，全部技術(shù)指標均達到或優(yōu)于預期目標。之前國內(nèi)由于不具備適用于器件輻射效應提參建模的試驗平臺，無法在器件設計、流片階段給出加固建議，評估抗輻射性能，一定程度上增加了研發(fā)成本，延長了生產(chǎn)周期。該設備突破了這一技術(shù)瓶頸，填補了該領(lǐng)域的國內(nèi)空白，為晶片級器件輻照、提參提供試驗條件，形成面向抗輻射器件研制全過程的輻射效應試驗評估、提參建模共性技術(shù)服務平臺，為元器件設計加固工藝的發(fā)展提供試驗技術(shù)支撐。

　　該設備已成功應用于中科院微電子研究所、中電集團44所、杭州電子科技大學、長光辰芯光電公司等單位的微納MOS器件、CCD器件、CMOS圖像傳感器、半導體射頻電路的輻射效應評估驗證，獲得了用戶的高度認可，為國產(chǎn)抗輻射器件的研制與試驗評估提供了有效的試驗手段。